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年产碳化硅衬底12万片又一个第三代半导体材料项目开工
发布日期:2021-07-05 13:47   来源:未知   阅读:

  www.fl7v.cn!近日,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式举行。

  资料显示,第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目,总投资约10亿元人民币,总建筑面积5.5万平方米,新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底12万片。

  目前第三代半导体行业正处于蓬勃发展的阶段,近两年国家对第三代半导体产业高度重视。

  天科合达总经理杨建表示,作为国内领先的碳化硅晶片生产企业和全球主要碳化硅晶片生产企业之一,该项目顺利开工建设,标志着北京市SiC衬底材料和器件的产业进程将进一步加速发展,对于促进我国碳化硅半导体产业延伸,引领第三代半导体产业发展具有重要的示范意义。

  资料显示,天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立,目前注册资本为1.84亿元,是全球SiC晶片的主要生产商之一,拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地;全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市,主要进行碳化硅晶体生长。

  目前,天科合达正在闯关科创板,7月14日,上交所正式受理该公司的科创板申请,目前其审核状态为“已问询”。根据招股说明书(申报稿)显示,天科合达此次拟募集资金5亿元,拟用于第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目。

  申报稿显示,天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目计划投资总额约10亿元,其中以募集资金投入金额为5亿元,将主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片,其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片,6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。

  作为宽禁带半导体器件制造的关键原材料,碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高,国内能够向企业用户稳定供应4英寸及6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。

  受中美贸易环境等经济局势影响,近年来我国碳化硅器件厂商的原材料供应受到较大程度的制约,下游市场出现了供不应求的局面。提高碳化硅衬底材料的国产化率、实现进口替代是我国宽禁带半导体行业亟需突破的产业瓶颈。

  天科合达表示,公司拟投资建设的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在扩大现有产能的基础上,通过进一步优化工艺技术,能够实现对下游客户的稳定批量供应,缓解下游市场对碳化硅衬底材料的迫切需求。同时能够进一步提升核心产品的竞争力,提高公司在国内和国际的市场地位,增强在宽禁带半导体材料领域的影响力。中國電信副總陳忠岳調任中國聯通總經理 填補近十個月

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